Transistörlerin küçültülmesi konusundaki büyük bir engel, bilim insanları tarafından aşılmış gibi görünüyor. Artık 1 nanometre boyutundan daha küçük transistör yapılar oluşturmak mümkün. Peki bunu nasıl başardılar? İşte detaylar…
Bilim insanları transistör boyutlarını 1 nanometre altına düşürmenin bir yolunu buldu!
Bilim insanları, yeni bir yöntemle 1 nanometre boyutundan daha küçük yapıların üretilebileceğini duyurdu. Bu yenilik, gelecekteki teknoloji devrimi için büyük bir adım. Araştırma, IBS’deki Van der Waals Kuantum Katı Merkezi’nden Jo Moon-Ho liderliğindeki bir ekip tarafından yürütüldü. Bu ekip, kontrollü katman büyümesi (epitaktik büyüme) adı verilen bir teknikle, Molybdändisülfid (MoS2) kullanarak transistör için inanılmaz derecede ince metal hatlar oluşturmayı başardı.
MoS2’nin benzersiz özellikleri sayesinde, iki kristal formasyonu arasındaki sınırda transistör için sadece 0,4 nanometre genişliğinde metal hatlar oluşturulabiliyor. Bu hatlar, 2D yarı iletkenler için kapı elektrotları olarak kullanılabiliyor. Yani, gelecekteki elektronik cihazlarımızın performansını artıracak süper küçük transistör elde edebiliriz.
Mevcut tahminler, 2037 yılına kadar 0,5 nanometre büyüklüğünde yarı iletken düğümler ve 12 nanometre transistör kapı uzunlukları öngörüyor. Ancak bu yeni yöntemle, kapı uzunlukları 3,9 nanometreye kadar düşürülebilir. Bu, teknoloji dünyasında çok daha küçük cihazların hayatımıza gireceği anlamına geliyor.
Samsung, 2026 yılına kadar ilk 1 nanometre çiplerini üretmeyi planlıyor. Aynı şekilde, TSMC ve Intel de benzer hedefler koymuş durumda. Bu gelişmeler, yarı iletken teknolojisinin geleceği için oldukça umut verici. Fujitsu ise 150 çekirdekli bir işlemciyi 2 nanometre tasarımıyla piyasaya sürmeyi planlıyor.
Bu yeni teknikle ilgili siz ne düşünüyorsunuz? Yorumlarınızı aşağıdaki bölümde paylaşabilirsiniz.
